Strato di Si drogato con B e depositato su Ni

[servatores]

che tecniche d'analisi utilizzereste per un'analisi morfologica, strutturale e composizionale di questo materiale?

[Zardoz]

Un IR tanto per cominciare, SEM con EDAX, AFM... se si vuole qualche info in più ellissometria e GDA... e se proprio proprio serve XPS.

Accessorie: Raman e angolo di contatto.

[servatores]

grazie! ma per il SEM sarebbe necessario rivestire il film con un rivestimento di metallo, visto che il silicio non è esattamente un conduttore?

[Zardoz]

se non devi fare l'edax puoi pure metallizzarlo... 20 secondi con uno sputter all'Au sono sufficienti

[servatores]

e per determinare la quantità di drogante che tecnica dovrei usare?

[Zardoz]

Intendi il boro?

Mmmmhhh... forse con la GDA si può fare già qualcosa... altrimenti prendi un pezzo di wafer, lo sciogli (HF + acqua regia dovrebbe andar bene) e determini il boro come borato usando qualche tecnica spettrofotometrica, tipo quella riportata qui: http://www.iss.it/binary/ampp/cont/boro_...504752.pdf

[servatores]

mmm capisco.
e scusa ancora, tornando al sem. il fatto che il Si sia drogato con B non provocherà la formazione di coppie lacuna-elettrone che influenzi il segnale?

[Zardoz]

Mah, io non ho mai avuto problemi di questo tipo. Solitamente uso Si tipo p come substrato per i miei campioni e da 10 a 30kV non ho mai visto cose strane da parte del wafer.

[servatores]

ah ottimo, grazie.
e invece se volessi studiare lo spessore del film?
avevo pensato xps + bombardamento ionico. che ne pensi?
e per studiare l'interfaccia film-substrato? forse il TEM?