servatores
2010-02-12 11:31
che tecniche d'analisi utilizzereste per un'analisi morfologica, strutturale e composizionale di questo materiale?
Un IR tanto per cominciare, SEM con EDAX, AFM... se si vuole qualche info in più ellissometria e GDA... e se proprio proprio serve XPS.
Accessorie: Raman e angolo di contatto.
servatores
2010-02-13 10:37
grazie! ma per il SEM sarebbe necessario rivestire il film con un rivestimento di metallo, visto che il silicio non è esattamente un conduttore?
se non devi fare l'edax puoi pure metallizzarlo... 20 secondi con uno sputter all'Au sono sufficienti
servatores
2010-02-13 15:51
e per determinare la quantità di drogante che tecnica dovrei usare?
Intendi il boro?
Mmmmhhh... forse con la GDA si può fare già qualcosa... altrimenti prendi un pezzo di wafer, lo sciogli (HF + acqua regia dovrebbe andar bene) e determini il boro come borato usando qualche tecnica spettrofotometrica, tipo quella riportata qui: http://www.iss.it/binary/ampp/cont/boro_azo.1113504752.pdf
servatores
2010-02-13 16:41
mmm capisco.
e scusa ancora, tornando al sem. il fatto che il Si sia drogato con B non provocherà la formazione di coppie lacuna-elettrone che influenzi il segnale?
Mah, io non ho mai avuto problemi di questo tipo. Solitamente uso Si tipo p come substrato per i miei campioni e da 10 a 30kV non ho mai visto cose strane da parte del wafer.
servatores
2010-02-17 12:56
ah ottimo, grazie.
e invece se volessi studiare lo spessore del film?
avevo pensato xps + bombardamento ionico. che ne pensi?
e per studiare l'interfaccia film-substrato? forse il TEM?